HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247], ON Semiconductor

IGBT, TO-247; DC Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2.6V; Power Dissipation Pd:463W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Alternate Case Style:SOT-249; Current Ic Continuous a Max:75A; Current Temperature:25°C; Device Marking:HGTG30N60A4D; Fall Time Typ:38ns; Fall Time tf:38ns; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Pin Configuration:With flywheel diode; Power Dissipation Max:463W; Pulsed Current Icm:240A; Rise Time:12s; Transistor Polarity:N Channel; Transistor Type:IGBT; Voltage Vces:600V

Технология/семейство	SMPS Series
Наличие встроенного диода	Да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	75
Импульсный ток коллектора (Icm), А	240
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	463
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	150
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	TO-247
Вес, г	7.5

HGTG30N60A4D, Транзистор IGBT 600В 60А [TO-247]

Описание

Технические параметры

Техническая документация

Дополнительная информация