Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › No trademark › HGTG30N60B3D

HGTG30N60B3D

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

34 шт. со склада г.Москва, срок 8-9 дней

4 110 руб.

от 2 шт. — 3 910 руб.

от 5 шт. — 3 750 руб.

от 10 шт. — 3 567 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 110 руб.

Номенклатурный номер: 8002978576

Бренд: Нет торговой марки

Описание

Электроэлемент

IGBT,N CH,600V,30A,TO-247; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.9V; Power Dissipation Pd:208W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:-; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Power Dissipation Max:208W; Transistor Type:IGBT

Технические параметры

Brand	Fairchild Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.45 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	60 A
Continuous Collector Current at 25 C	60 A
Continuous Collector Current Ic Max	60 A
Factory Pack Quantity	30
Gate-Emitter Leakage Current	+/-250 nA
Height	20.82 mm
Length	15.87 mm
Manufacturer	Fairchild Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage	+/-20 V
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Packaging	Tube
Part # Aliases	HGTG30N60B3D_NL
Pd - Power Dissipation	208 W
Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
Series	HGTG30N60B3D
Technology	Si
Width	4.82 mm
Вес, г	7.5