HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В, 208 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: HGTG30N60C3D
Ном. номер: 8000958007
Производитель: Fairchild Semiconductor
HGTG30N60C3D, БТИЗ транзистор, 63 А, 1.8 В ...
Доступно на заказ 26 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
740 × = 740
от 10 шт. — 618 руб.

Описание

The HGTG30N60C3D is a N-channel IGBT with anti-parallel hyperfast diode. The UFS series MOS gated high voltage switching device combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. The device has the high input impedance of a MOSFET and the low ON-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower ON-state voltage drop varies only moderately between 25 and 150°C. The IGBT used is the development type TA49051. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49053. It is ideal for many high voltage switching applications operating at moderate frequencies where low conduction losses are essential.

• Short-circuit rating
• 230ns Fall time @ TJ = 150°C
• 208W Total power dissipation @ TC = 25°C

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 1838985

Технические параметры

DC Ток Коллектора
63А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.8В
Рассеиваемая Мощность
208Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C

Дополнительная информация

Datasheet HGTG30N60C3D