HUF75329D3ST, MOSFET, Fairchild, HUF753

PartNumber: HUF75329D3ST
Ном. номер: 8030515654
Производитель: Fairchild Semiconductor
HUF75329D3ST, MOSFET, Fairchild, HUF753
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
82 × = 820
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 72 руб.
от 100 шт. — 50.20 руб.

Описание

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET, Fairchild, HUF75329D3ST

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 2.39 x 7.49мм
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.026 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
55 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
128 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-252AA
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
50 нКл при 0 → 20 В
Типичная входная емкость при Vds
1060 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
10 нс
Типичное время задержки включения
60 ns
Ширина
2.39mm
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
7.49mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

HUF75329D3S, N-Channel UltraFET Power MOSFET ...