HUFA75307T3ST, MOSFET N-Ch 2.6A 55V Ultr

PartNumber: HUFA75307T3ST
Ном. номер: 8028827220
Производитель: Fairchild Semiconductor
HUFA75307T3ST, MOSFET N-Ch 2.6A 55V Ultr
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
33 × = 825
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 250 шт. — 20 руб.
от 500 шт. — 17.06 руб.

Описание

UltraFET® MOSFET, Fairchild Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.

MOSFET Transistors, Fairchild Semiconductor
Fairchild offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
Fairchild MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Fairchild HUFA75307T3ST N-channel MOSFET Transistor, 2.6 A, 55 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.8мм
Максимальный непрерывный ток стока
2.6 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.09 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
55 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
1.1 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
SOT-223
Число контактов
4
Типичный заряд затвора при Vgs
14 нКл при 20 В
Типичная входная емкость при Vds
250 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
35 нс
Типичное время задержки включения
5 нс
Ширина
3.7mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
1.8mm
Длина
6.7мм
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

HUFA75307T3ST, 2.6A, 55V, 0.090 Ohm ...