IFF450B12ME4PB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 450 А, 1.75 В, 150 °C, Module
![Фото 1/3 IFF450B12ME4PB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 450 А, 1.75 В, 150 °C, Module](https://static.chipdip.ru/lib/291/DOC005291131.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
38 240 руб.
от 5 шт. —
35 630 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 38 240 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
IFF450B12ME4P_B11, SP001377612
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 450А |
| DC Ток Коллектора | 450А |
| Выводы БТИЗ | Press Fit |
| Конфигурация БТИЗ | Dual(Half Bridge) |
| Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
| Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Вид монтажа | Press Fit |
| Другие названия товара № | SP001377612 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 15 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.75 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 450 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 6 |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | 152 mm x 62.5 mm x 20.5 mm |
| Base Product Number | IFF450 -> |
| Configuration | Half Bridge |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 450A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 3mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 28nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tray |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 40W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | EconoDUALв„ў 3 -> |
| Supplier Device Package | Module |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 450A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 450 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Number of Transistors | 2 |
| Package Type | ECONOD |
| Transistor Configuration | Dual |
| Вес, г | 0.36 |
Техническая документация
Datasheet IFF450B12ME4PB11BPSA1
pdf, 618 КБ
Datasheet IFF450B12ME4PB11BPSA1
pdf, 654 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
