Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › IGB20N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А ...

IGB20N65S5ATMA1, БТИЗ транзистор, 40 А, 1.35 В, 125 Вт, 650 В, TO-263 (D2PAK), 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

590 руб.

Мин. кол-во для заказа 5 шт.

от 10 шт. — 500 руб.

от 100 шт. — 387 руб.

Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 950 руб.

Номенклатурный номер: 8002913943

Артикул: IGB20N65S5ATMA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage	1.35В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	40А
Power Dissipation	125Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263(D2PAK)
Pd - рассеивание мощности	125 W
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	IGB20N65S5 SP001502564
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	40 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	40 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	Trenchstop IGBT5
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	TO-263-3
Channel Type	N
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	20 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20 V, ±30V
Maximum Power Dissipation	125 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-263
Pin Count	3
Вес, г	0.1