IGW25T120FKSA1 (G25T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 25А 190Вт [PG-TO-247-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
680 руб.
от 15 шт. —
670 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Номенклатурный номер: 9000624195
Артикул: IGW25T120FKSA1 (G25T120)
PartNumber: IGW25T120FKSA1
Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Описание
IGBT NPT, траншейный полевой упор 1200 В, 50 А, 190 Вт, сквозное отверстие PG-TO247-3
Технические параметры
Технология/семейство | TRENCHSTOP and Fieldstop | |
Наличие встроенного диода | Нет | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 1200 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 50 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 75 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.2 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 190 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 50 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 560 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -40…+150 | |
Корпус | PG-TO247-3 | |
Вес, г | 7.5 |
Техническая документация
Datasheet IGW25T120
pdf, 350 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают