IGW50N65H5, IGBT TrenchStop N-Channel

PartNumber: IGW50N65H5
Ном. номер: 8042677356
Производитель: Infineon Technologies
IGW50N65H5, IGBT TrenchStop N-Channel
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
310 × = 1 240
Количество товаров должно быть кратно 4 шт.
от 8 шт. — 260 руб.
от 40 шт. — 165.25 руб.

Описание

IGBT Discretes, Infineon
Infineon range of discrete IGBT's offer different technologies such as NPT, N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard switching and soft switching. This includes Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices may have an anti-parallel diode or with maybe a monolithically integrated diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IGW50N65H5, IGBT Transistor, 50 A 650 V, 3-Pin TO-247

Технические параметры

Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
21.1mm
Максимальное рассеяние мощности
305 W
Ширина
5.21mm
Максимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Число контактов
3
Емкость затвора
3000
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20
Тип канала
N
Тип монтажа
Through Hole
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1
Длина
16.13mm
Тип корпуса
TO-247
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Новинки
только новые товары

Дополнительная информация

IGW50N65H5 High speed 5 Fast IGBT in ...