IKB10N60T, БТИЗ транзистор, 10 А, 2.05 В, 110 Вт, 600 В, TO-263, 3 вывод(-ов)

PartNumber: IKB10N60T
Ном. номер: 8061303196
Производитель: Infineon Technologies
IKB10N60T, БТИЗ транзистор, 10 А, 2.05 В ...
Доступно на заказ 818 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
120 × = 120
от 25 шт. — 109 руб.
от 100 шт. — 100 руб.

Описание

The IKB10N60T is a Low Loss IGBT in TrenchStop® and field-stop technology with soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled HE diode. The TrenchStop® IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of TrenchStop®-cell and field-stop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-ON losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

• Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
• Low switching losses
• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
• Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled HE diode
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Low EMI emissions
• Low gate charge
• Very tight parameter distribution
• Highest efficiency - Low conduction and switching losses
• High device reliability
• 5µs Short-circuit withstand time
• Green product
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 1832362

Технические параметры

DC Ток Коллектора
10А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
2.05В
Рассеиваемая Мощность
110Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IKB10N60T