IKP08N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 8 А, 1.65 В, 70 Вт, 650 В, TO-220, 3 вывод(-ов)

PartNumber: IKP08N65H5XKSA1
Ном. номер: 8086491918
Производитель: Infineon Technologies
IKP08N65H5XKSA1, БТИЗ транзистор, 8 А ...
Доступно на заказ 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
250 × = 250
от 25 шт. — 198 руб.
от 100 шт. — 184 руб.

Описание

The IKP08N65H5 is a High Speed IGBT in TRENCHSTOP™ 5 technology co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode. The TRENCHSTOP™ 5 IGBT technology redefines best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market's high efficiency demands of tomorrow. It features best-in-class efficiency, resulting in lower junction and case temperature leading to higher device reliability.

• Factor 2.5 lower Qg
• Factor 2 reduction in switching losses
• Low COES/EOSS
• Mild positive temperature coefficient VCE (sat)
• Temperature stability of Vf
• Higher power density design
• 200mV Reduction in VCE (sat)
• 50V Increase in the bus voltage possible without compromising reliability
• Green product
• Halogen-free

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 2363286

Технические параметры

DC Ток Коллектора
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)
1.65В
Рассеиваемая Мощность
70Вт
Напряжение Коллектор-Эмиттер
650В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C

Дополнительная информация

Datasheet IKP08N65H5XKSA1