IKW40T120, IGBT TrenchStop N-Chan 12

PartNumber: IKW40T120
Ном. номер: 8043845580
Производитель: Infineon Technologies
IKW40T120, IGBT TrenchStop N-Chan 12
Доступно на заказ более 8 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
560 × = 1 120
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 10 шт. — 440 руб.
от 50 шт. — 295.40 руб.

Описание

IGBT Discretes, Infineon
Infineon range of discrete IGBT's offer different technologies such as NPT, N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard switching and soft switching. This includes Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices may have an anti-parallel diode or with maybe a monolithically integrated diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Полупроводники / Дискретные компоненты / IGBT транзисторы /
Infineon IKW40T120, IGBT Transistor, 75 A 1200 V, 3-Pin TO-247

Технические параметры

Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1
Длина
16.13mm
Тип корпуса
TO-247
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.1mm
Максимальное рассеяние мощности
270 Вт
Ширина
5.21mm
Максимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Число контактов
3
Емкость затвора
2500
Конфигурация
Single
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20
Тип канала
N
Тип монтажа
Through Hole
Новинки
только новые товары

Дополнительная информация

IKW40T120 IGBT w soft fast recovery HE diode