Добавить к сравнению Сравнить ()

IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]

Артикул: IKW50N60H3 (K50H603)
PartNumber: SP000852244 IKW50N60H3FKSA1
Ном. номер: 9000163815
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/3 IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
Фото 2/3 IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]Фото 3/3 IKW50N60H3 (K50H603), Транзистор, IGBT, Trench and Fieldstop, N-канал, 600В, 50А, [TO-247]
Есть в наличии более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
250 × = 250
от 5 шт. — 180 руб.
от 50 шт. — 166 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

IGBT Discretes, Infineon
Infineon range of discrete IGBT's offer different technologies such as NPT, N-Channel TRENCHSTOP TM and Fieldstop. They can be used in many applications that may require hard switching and soft switching. This includes Industrial drives, UPS, Inverters, home appliances and Induction cooking. Some devices may have an anti-parallel diode or with maybe a monolithically integrated diode.

IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение кэ ,В
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
1.85
Управляющее напряжение,В
5.1
Мощность макс.,Вт
Крутизна характеристики, S
Температурный диапазон,С
-55…+150
Корпус

Техническая документация

IKW50N60H3_Rev1_1G
pdf, 1642 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IKW50N60H3 (K50H603) SP000852244 IKW50N60H3FKSA1
IGBT in Trench and Fieldstop Technology with Soft, Fast Recovery Anti-Parallel Diode IKW50N60H3 (K50H603) SP000852244 IKW50N60H3FKSA1
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов