Добавить к сравнению Сравнить ()

IKW75N60TFKSA1, БТИЗ транзистор, универсальный, 80 А, 2 В, 428 Вт, 600 В, TO-247, 3 вывод(-ов)

PartNumber: IKW75N60TFKSA1
Ном. номер: 8097651839
Производитель: Infineon Technologies
IKW75N60TFKSA1, БТИЗ транзистор ...
Доступно на заказ 225 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
990 × = 990
от 25 шт. — 742 руб.
от 100 шт. — 442 руб.

Описание

The IKW75N60T is a 600V Discrete IGBT with very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode. TRENCHSTOP™ IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device due to combination of trench top-cell and filed stop concept. Combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses. Discrete IGBT is ideal for hard switching applications as well as soft switching applications and other resonant applications.

• Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
• Low switching losses
• Easy to parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Low EMI emissions
• Low gate charge
• Very tight parameter distribution
• Highest efficiency
• Low conduction and switching losses

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\БТИЗ Одиночные
Код: 1471751

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
600В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Рассеиваемая Мощность
428Вт
DC Ток Коллектора
80А
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)

Дополнительная информация

Datasheet IKW75N60TFKSA1