IPA057N06N3 G, MOSFET N-Channel 60V 60A

PartNumber: IPA057N06N3 G
Ном. номер: 8030943300
Производитель: Infineon Technologies
IPA057N06N3 G, MOSFET N-Channel 60V 60A
Доступно на заказ более 30 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
130 × = 1 300
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 99 руб.
от 50 шт. — 88 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60V and over
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 60V 60A OptiMOS TO220

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.65 x 4.85 x 16.15мм
Максимальный непрерывный ток стока
60 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0057 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
38 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
61 nC@ -10 V
Типичная входная емкость при Vds
5000 пФ при 30 В
Типичное время задержки выключения
32 нс
Типичное время задержки включения
24 ns
Ширина
4.85mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
82с
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
16.15mm
Длина
10.65mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IPA057N06N3 G, OptiMOS3 Power-Transistor