IPB010N06N, MOSFET N-Channel 60V 180A

PartNumber: IPB010N06N
Ном. номер: 8002772580
Производитель: Infineon Technologies
IPB010N06N, MOSFET N-Channel 60V 180A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
420 × = 840
Количество товаров должно быть кратно 2 шт.
от 20 шт. — 280 руб.
от 100 шт. — 243.80 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 60V 180A OptiMOS TO263

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.31 x 4.57 x 9.45мм
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное сопротивление сток-исток
1.5 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
300 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-263
Число контактов
7
Типичный заряд затвора при Vgs
208 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
15000 pF@ 30 V
Типичное время задержки выключения
74 нс
Типичное время задержки включения
37 ns
Ширина
4.57mm
Прямое напряжение диода
4.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
310S
Материал транзистора
Кремний
Высота
9.45mm
Длина
10.31mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IPB010N06N OptiMOS 3 Power Transistor
Efficient Semiconductor Solutions for Motor ...