IPB057N06N, MOSFET N-Channel 60V 45A

PartNumber: IPB057N06N
Ном. номер: 8053609311
Производитель: Infineon Technologies
IPB057N06N, MOSFET N-Channel 60V 45A
Доступно на заказ более 40 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
110 × = 1 100
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 86 руб.
от 100 шт. — 64.60 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™5 Power MOSFETs

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IPB057N06N N-channel MOSFET Transistor, 45 A, 60 V, 2+Tab-Pin TO-263

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.31 x 11.05 x 4.57мм
Максимальный непрерывный ток стока
45 A
Максимальное сопротивление сток-исток
8.6 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
83 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-263
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
27 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2000 pF @ 30 V
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки включения
12 ns
Ширина
11.05mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
73с
Материал транзистора
Кремний
Высота
4.57mm
Длина
10.31mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IPB057N06N OptiMOS Power Transistor
Efficient Semiconductor Solutions for Motor ...