IPB108N15N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 83 А, 150 В, 0.0091 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: IPB108N15N3GATMA1
Ном. номер: 8041833780
Производитель: Infineon Technologies
IPB108N15N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 1015 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
290 × = 290
от 25 шт. — 252 руб.
от 100 шт. — 211 руб.

Описание

The IPB108N15N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• MSL1 rated 2
• Environmentally friendly
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Normal level
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2443383

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
83А
Напряжение Истока-стока Vds
150В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0091Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
214Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IPB108N15N3GATMA1