Добавить к сравнению Сравнить ()

IPB108N15N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 83 А, 150 В, 0.0091 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: IPB108N15N3GATMA1
Ном. номер: 8041833780
Производитель: Infineon Technologies
IPB108N15N3GATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 83 А, 150 В, 0.0091 Ом, 10 В, 3 В
Доступно на заказ 855 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
270 × = 270
от 25 шт. — 233 руб.
от 100 шт. — 195 руб.

Описание

The IPB108N15N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.

• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• MSL1 rated 2
• Environmentally friendly
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Normal level
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
214Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
150В
Непрерывный Ток Стока
83А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0091Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Дополнительная информация

Datasheet IPB108N15N3GATMA1