IPB180N06S4-H1, MOSFET N-Ch 180A 60V Opti

PartNumber: IPB180N06S4-H1
Ном. номер: 8022840289
Производитель: Infineon Technologies
IPB180N06S4-H1, MOSFET N-Ch 180A 60V Opti
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
210 × = 2 100
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

Infineon OptiMOS™T2 Power MOSFETs Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs
Infineon's new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 180A 60V OptiMOS-T2 TO263-7

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.31 x 9.45 x 4.57мм
Максимальный непрерывный ток стока
180 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0017 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
250 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-263
Число контактов
7
Типичный заряд затвора при Vgs
208 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
16840 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
60 ns
Типичное время задержки включения
30 ns
Ширина
9.45mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
4.57mm
Длина
10.31мм
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IPB180N06S4-H1, OptiMOS-T2 Power-Transistor