IPB45N06S409, MOSFET N-Ch 45A 60V OptiM

PartNumber: IPB45N06S409
Ном. номер: 8035159528
Производитель: Infineon Technologies
IPB45N06S409, MOSFET N-Ch 45A 60V OptiM
Доступно на заказ более 80 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
62 × = 1 550
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 50 шт. — 51 руб.
от 250 шт. — 41.60 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™T2 Power MOSFETs Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs
Infineon's new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IPB45N06S409 N-channel MOSFET Transistor, 45 A, 60 V, 2+Tab-Pin TO-263

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10 x 9.25 x 4.4мм
Максимальный непрерывный ток стока
45 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0094 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
60 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
71 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-263
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
36 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
2911 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
20 ns
Типичное время задержки включения
15 ns
Ширина
9.25mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
4.4mm
Длина
10mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IPB45N06S4-09, IPI45N06S4-09, IPP45N06S4-09 ...