IPD036N04LG, MOSFET N-Ch 90A 40V OptiM

PartNumber: IPD036N04LG
Ном. номер: 8031544507
Производитель: Infineon Technologies
IPD036N04LG, MOSFET N-Ch 90A 40V OptiM
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
86 × = 2 150
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 100 шт. — 59 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 90A 40V OptiMOS3 TO252

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.41мм
Максимальный непрерывный ток стока
90 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0049 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
94 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-252
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
28 nC @ 4.5 V
Типичная входная емкость при Vds
4700 пФ при 20 В
Типичное время задержки выключения
37 нс
Типичное время задержки включения
9.3 ns
Ширина
6.22mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
2.41мм
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IPD036N04L G, OptiMOS3 Power-Transistor