Добавить к сравнению Сравнить ()

IPD042P03L3GBTMA1, МОП-транзистор, P Канал, -70 А, -30 В, 0.0035 Ом, -10 В, -1.5 В

PartNumber: IPD042P03L3GBTMA1
Ном. номер: 8103210252
Производитель: Infineon Technologies
IPD042P03L3GBTMA1, МОП-транзистор, P Канал, -70 А, -30 В, 0.0035 Ом, -10 В, -1.5 В
Доступно на заказ 1634 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
94 × = 94
от 25 шт. — 78 руб.
от 100 шт. — 58 руб.

Описание

The IPD042P03L3 G is a -30V P-channel Power MOSFET that consistently meets highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and Figure of Merit characteristics.

• Enhancement mode
• Increased battery lifetime
• AEC-Q101 qualified

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
150Вт
Полярность Транзистора
P Канал
Напряжение Истока-стока Vds
-30В
Непрерывный Ток Стока
-70А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0035Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
-10В
Пороговое Напряжение Vgs
-1.5В

Дополнительная информация

Datasheet IPD042P03L3GBTMA1