Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Infineon › IPD060N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A ...

IPD060N03LGATMA1, Транзистор N-MOSFET 30В 50A [TO-252-3]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

190 руб.

от 15 шт. — 151 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 190 руб.

Номенклатурный номер: 9000160946

Артикул: IPD060N03LGATMA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Описание Транзистор полевой IPD060N03LGATMA1 производителя INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. Способен обеспечивать ток стока до 43 А при напряжении сток-исток 30 В и мощности 56 Вт. Одной из ключевых особенностей данного транзистора является низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,006 Ом, что обеспечивает эффективную и экономичную работу в различных электронных устройствах. Компактный корпус PG-TO252-3 гарантирует легкость интеграции в современные печатные платы. Транзистор IPD060N03LGATMA1 – идеальный выбор для разработчиков, стремящихся к оптимизации энергопотребления и повышению надежности своей электроники. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	N-MOSFET
Монтаж	SMD
Ток стока, А	43
Напряжение сток-исток, В	30
Мощность, Вт	56
Сопротивление в открытом состоянии, Ом	0.006
Корпус	PG-TO252-3

Технические параметры

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.006 Ом/30А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	56
Корпус	TO-252-3
Вес, г	0.3