IPD50R380CE, MOSFET N-Ch 500V 9.9A Coo

PartNumber: IPD50R380CE
Ном. номер: 8069059718
Производитель: Infineon Technologies
IPD50R380CE, MOSFET N-Ch 500V 9.9A Coo
Доступно на заказ более 5 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
930 × = 930
от 2 шт. — 770 руб.
от 10 шт. — 634 руб.

Описание

Infineon CoolMOS™CE/CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IPD50R380CE N-channel MOSFET Transistor, 9.9 A, 550 V, 3-Pin TO-252

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.41мм
Максимальный непрерывный ток стока
9.9 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.38 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
550 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
73 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-252
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
24.8 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
584 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
35 нс
Типичное время задержки включения
7.2 ns
Ширина
6.22mm
Прямое напряжение диода
0.85V
Материал транзистора
Кремний
Высота
2.41mm
Длина
6.73mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IPD50R380CE CoolMOS CE Power Transistor