IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт. —
100 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Описание MOSFET транзистор PG-TO252-3
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 700 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±16 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.9 Ом/1.1А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30.5 | |
Корпус | TO-252-3 | |
Линия Продукции | CoolMOS P7 Series | |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C | |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) | |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252 | |
Рассеиваемая Мощность | 30.5Вт | |
Полярность Транзистора | N Канал | |
Напряжение Истока-стока Vds | 700В | |
Непрерывный Ток Стока | 6А | |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.74Ом | |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В | |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В | |
Вес, г | 0.6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 976 КБ
Datasheet IPD70R900P7S
pdf, 1026 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов