IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3]

Фото 1/5 IPD70R900P7SAUMA1, Транзистор N-MOSFET 700В 6A [TO252-3]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 15 шт.100 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 9000461985
Артикул: IPD70R900P7SAUMA1

Описание

Описание MOSFET транзистор PG-TO252-3

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 700
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±16
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 0.9 Ом/1.1А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 30.5
Корпус TO-252-3
Линия Продукции CoolMOS P7 Series
Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора TO-252
Рассеиваемая Мощность 30.5Вт
Полярность Транзистора N Канал
Напряжение Истока-стока Vds 700В
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.74Ом
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г 0.6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 976 КБ
Datasheet IPD70R900P7S
pdf, 1026 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов