IPD80R1K4CE, MOSFET N-Channel 800V 12A

PartNumber: IPD80R1K4CE
Ном. номер: 8034419710
Производитель: Infineon Technologies
IPD80R1K4CE, MOSFET N-Channel 800V 12A
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
86 × = 1 032
Количество товаров должно быть кратно 12 шт.
от 24 шт. — 71 руб.
от 120 шт. — 46.42 руб.

Описание

Infineon CoolMOS™CE/CFD Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IPD80R1K4CE N-channel MOSFET Transistor, 3.9 A, 800 V, 3+Tab-Pin TO-252

Технические параметры

Тип корпуса
TO-252
Максимальный непрерывный ток стока
3.9 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
2.41mm
Максимальное сопротивление сток-исток
1.4 Ω
Типичное время задержки включения
25 ns
Номер канала
Поднятие
Материал транзистора
Si
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.41
Длина
6.73mm
Максимальное напряжение сток-исток
800 V
Количество элементов на ИС
1
Ширина
6.22mm
Максимальное рассеяние мощности
63 W
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
3.9V
Число контактов
3+Tab
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Типичное время задержки выключения
72 нс
Прямое напряжение диода
1.2V
Категория
Мощный МОП-транзистор, Радиочастотный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
570 пФ при 100 В
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
23 nC @ 10 V
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Тип канала
N
Тип монтажа
Surface Mount
Новинки
только новые товары

Дополнительная информация

IPD80R1K4CE 800V CoolMOS CE Power Transistor