IPG20N06S2L-65, MOSFET N-Ch 20A 55V OptiM

PartNumber: IPG20N06S2L-65
Ном. номер: 8043375808
Производитель: Infineon Technologies
IPG20N06S2L-65, MOSFET N-Ch 20A 55V OptiM
Доступно на заказ более 100 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
45 × = 1 125
Количество товаров должно быть кратно 25 шт.
от 250 шт. — 34 руб.
от 500 шт. — 29.26 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Ch 20A 55V OptiMOS TDSON8EP

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
5.15 x 5.9 x 1мм
Максимальный непрерывный ток стока
20 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.079 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
55 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
43 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TDSON
Число контактов
8
Типичный заряд затвора при Vgs
9.4 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
315 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
10 нс
Типичное время задержки включения
2 нс
Ширина
5.9mm
Материал транзистора
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
1mm
Длина
5.15mm
Тип монтажа
Surface Mount

Дополнительная информация

IPG20N06S2L-65, OptiMOS Power-Transistor