IPI147N12N3 G, MOSFET N-Channel 120V 56A

PartNumber: IPI147N12N3 G
Ном. номер: 8028405959
Производитель: Infineon Technologies
IPI147N12N3 G, MOSFET N-Channel 120V 56A
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
98 × = 980
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 120V 56A OptiMOS TO262

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.36 x 4.572 x 9.45мм
Максимальный непрерывный ток стока
56 А
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0147 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
120 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
107 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-262
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
37 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
2420 пФ при 60 В
Типичное время задержки выключения
24 ns
Типичное время задержки включения
16 ns
Ширина
4.572mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
62с
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
9.45mm
Длина
10.36mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IPB144N12N3 G, IPI147N12N3 G, IPP147N12N3 G ...