IPP023NE7N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 75 В, 0.0021 Ом, 10 В, 3.1 В

PartNumber: IPP023NE7N3GXKSA1
Ном. номер: 8050893124
Производитель: Infineon Technologies
IPP023NE7N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 200 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
310 × = 310
от 25 шт. — 282 руб.
от 100 шт. — 259 руб.

Описание

The IPP023NE7N3 G is a N-channel Power MOSFET with OptiMOS™ technology specializes in synchronous rectification applications. Based on the leading 80V technology these 75V products feature simultaneously lowest ON-state resistances and superior switching performance.

• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• MSL1 rated
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Ideal for high frequency switching and DC-to-DC converters
• Normal level
• 100% avalanche tested
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2212851

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
120А
Напряжение Истока-стока Vds
75В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0021Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3.1В
Рассеиваемая Мощность
300Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C

Дополнительная информация

Datasheet IPP023NE7N3GXKSA1