IPP023NE7N3G, MOSFET N-Channel 75V 120A

PartNumber: IPP023NE7N3G
Ном. номер: 8013841771
Производитель: Infineon Technologies
IPP023NE7N3G, MOSFET N-Channel 75V 120A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
420 × = 1 680
Количество товаров должно быть кратно 4 шт.
от 8 шт. — 340 руб.
от 40 шт. — 247.50 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60V and over
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 75V 120A OptiMOS TO220

Технические параметры

Категория
Мощный МОП-транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Максимальный непрерывный ток стока
120 A
Максимальное сопротивление сток-исток
2.3 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
75 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
300 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
155 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
10800 pF@ 37.5 V
Типичное время задержки выключения
70 ns
Типичное время задержки включения
19 ns
Ширина
4.57mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
195с
Материал транзистора
Кремний
Высота
15.95mm
Длина
10.36mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IPP023NE7N3G OptiMOS 3 Power-Transistor