IPP039N04L G, MOSFET N-Channel 40V 80A

PartNumber: IPP039N04L G
Ном. номер: 8036853975
Производитель: Infineon Technologies
IPP039N04L G, MOSFET N-Channel 40V 80A
Доступно на заказ более 60 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
78 × = 780
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.
от 20 шт. — 66 руб.
от 50 шт. — 57.60 руб.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 40V 80A OptiMOS TO220

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.363 x 4.572 x 15.95
Максимальный непрерывный ток стока
80 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0052 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
40 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
94 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
59 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
4600 пФ при 25 В
Типичное время задержки выключения
38 ns
Типичное время задержки включения
10 ns
Ширина
4.572mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
151
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Высота
15.95mm
Длина
10.36mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IPP039N04L G, IPB039N04L G, OptiMOS3 ...