IPP100N08N3 G, MOSFET N-Channel 80V 70A

PartNumber: IPP100N08N3 G
Ном. номер: 8067255907
Производитель: Infineon Technologies
IPP100N08N3 G, MOSFET N-Channel 80V 70A
Доступно на заказ более 50 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
91 × = 910
Количество товаров должно быть кратно 10 шт.

Описание

Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60V and over
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 80V 70A TO220-3

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
10.36 x 4.57 x 15.95мм
Максимальный непрерывный ток стока
70 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.0182 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Максимальное рассеяние мощности
100 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-220
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
26 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
1810 пФ при 40 В
Типичное время задержки выключения
22 нс
Типичное время задержки включения
14 ns
Ширина
4.57mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Прямая активная межэлектродная проводимость
59s
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Высота
15.95mm
Длина
10.36mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IPP100N08N3 G, IPI100N08N3 G, IPB097N08N3 G ...