IPP200N15N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 50 А, 150 В, 16 мОм, 10 В, 3 В

PartNumber: IPP200N15N3GXKSA1
Ном. номер: 8039763549
Производитель: Infineon Technologies
IPP200N15N3GXKSA1, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 417 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
180 × = 180
от 25 шт. — 156 руб.
от 100 шт. — 147 руб.

Описание

The IPP200N15N3 G is a 150V N-channel Power MOSFET that achieves a reduction in RDS (on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM). The OptiMOS™ MOSFET offers high system efficiency and industry's lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.

• Excellent switching performance
• Environmentally-friendly
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy to design

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1775651

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
50А
Напряжение Истока-стока Vds
150В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.016Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
150Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-220
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C

Дополнительная информация

Datasheet IPP200N15N3GXKSA1