IPT020N10N3ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 300 А, 100 В, 0.0017 Ом, 10 В, 2.7 В

PartNumber: IPT020N10N3ATMA1
Ном. номер: 8003016477
Производитель: Infineon Technologies
IPT020N10N3ATMA1, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 449 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
770 × = 770
от 25 шт. — 710 руб.
от 100 шт. — 548 руб.

Описание

The IPT020N10N3 is a N-channel Power MOSFET optimized for high current applications. This new package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

• Industry's lowest R DS(on)
• Highest current capability up to 300A
• Very low package parasitic and inductances
• Less paralleling and cooling required
• Highest system reliability
• Enabling very compact design
• Normal level
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Extremely low ON-resistance RDS (ON)
• High current capability
• Qualified according to JEDEC for target application
• Halogen-free, Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2480869

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
300А
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0017Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
2.7В
Рассеиваемая Мощность
375Вт
Стиль Корпуса Транзистора
HSOF
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IPT020N10N3ATMA1