IPW50R199CPFKSA1, МОП-транзистор, N Канал, 17 А, 550 В, 0.18 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: IPW50R199CPFKSA1
Ном. номер: 8039104115
Производитель: Infineon Technologies
IPW50R199CPFKSA1, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 197 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
300 × = 300
от 25 шт. — 260 руб.
от 100 шт. — 213 руб.

Описание

The IPW50R199CP is a CoolMOS™ N-channel Power MOSFET with ultra-low gate charge and high peak current capability.

• Lowest figure of merit Ron x Qg
• Extreme dV/dt rate
• Ultra low RDS (ON), very fast switching
• Very low internal Rg
• High peak current capability
• Significant reduction of conduction and switching losses
• High power density and efficiency for superior power conversion systems
• Best-in-class performance ratio
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Green device

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2443407

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
17А
Напряжение Истока-стока Vds
550В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.18Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
139Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный