IPW60R099CPFKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 31 А, 600 В, 99 мОм, 10 В, 3 В

PartNumber: IPW60R099CPFKSA1
Ном. номер: 8056684280
Производитель: Infineon Technologies
IPW60R099CPFKSA1, Силовой МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 318 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
630 × = 630
от 25 шт. — 559 руб.
от 100 шт. — 449 руб.

Описание

The IPW60R099CP is a 650V N-channel CoolMOS™ Power MOSFET designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. The CoolMOS™ MOSFET offers a significant reduction of conduction, switching and driving losses and enable high power density and efficiency for superior power conversion systems. The latest state-of-the-art generation of high voltage power MOSFETs makes AC-DC power supplies more efficient, more compact, lighter and cooler than ever before.

• Lowest Figure of Merit R on x Qg
• Ultra low gate charge
• Extreme dv/dt rated
• Very fast switching
• High current capability
• Significant reduction of conduction and switching losses
• High power density and efficiency for superior power conversion systems
• Best-in-class performance ratio

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 1471753

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
31А
Напряжение Истока-стока Vds
600В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.099Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
255Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet IPW60R099CPFKSA1