IPW60R299CP, MOSFET N-Channel 650V 11A

PartNumber: IPW60R299CP
Ном. номер: 8072926852
Производитель: Infineon Technologies
IPW60R299CP, MOSFET N-Channel 650V 11A
Доступно на заказ более 10 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
300 × = 900
Количество товаров должно быть кратно 3 шт.
от 15 шт. — 240 руб.
от 75 шт. — 179.47 руб.

Описание

Infineon CoolMOS™CP Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
MOSFET N-Channel 650V 11A CoolMOS TO247

Технические параметры

Категория
Мощный транзистор
Номер канала
Enhancement
Тип канала
N
Конфигурация
Single
Размеры
16.03 x 5.16 x 21.1мм
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное сопротивление сток-исток
0.299 Ом
Максимальное напряжение сток-исток
650 В
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 В, ±30 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное рассеяние мощности
96 W
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Количество элементов на ИС
1
Тип корпуса
TO-247
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
22 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1100 пФ при 100 В
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки включения
10 ns
Ширина
5.16mm
Прямое напряжение диода
1.2V
Материал транзистора
Кремний
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Высота
21.1mm
Длина
16.03mm
Тип монтажа
Through Hole

Дополнительная информация

IPW60R299CP, CoolMOS Power Transistor