IPW90R1K2C3, MOSFET N-Channel 900V 5.1

PartNumber: IPW90R1K2C3
Ном. номер: 8038274100
Производитель: Infineon Technologies
IPW90R1K2C3, MOSFET N-Channel 900V 5.1
Доступно на заказ более 20 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
180 × = 1 080
Количество товаров должно быть кратно 6 шт.
от 12 шт. — 150 руб.
от 60 шт. — 95.67 руб.

Описание

Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET

MOSFET Transistors, Infineon
Infineon's large and comprehensive portfolio of MOSFET devices includes the OptiMOS™ and CoolMOS™ families. These products deliver best-in-class performance from the latest generation of state-of-the-art power MOSFETs

Полупроводники / Дискретные компоненты / Полевых МОП-транзисторы /
Infineon IPW90R1K2C3 N-channel MOSFET Transistor, 5.1 A, 900 V, 3+Tab-Pin TO-247

Технические параметры

Ширина
5.21mm
Максимальное рассеяние мощности
83 W
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение затвор-исток
±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Число контактов
3+Tab
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Типичное время задержки выключения
400 нс
Прямое напряжение диода
1.2V
Категория
Мощный МОП-транзистор, Радиочастотный МОП-транзистор
Типичная входная емкость при Vds
710 пФ при 100 В
Конфигурация
Single
Типичный заряд затвора при Vgs
28 нКл при 10 В
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
2.5 Ω
Тип канала
N
Тип монтажа
Through Hole
Типичное время задержки включения
70 ns
Номер канала
Поднятие
Материал транзистора
Si
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1
Длина
16.13mm
Максимальное напряжение сток-исток
900 V
Тип корпуса
TO-247
Максимальный непрерывный ток стока
5.1 A
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
21.1mm
Новинки
только новые товары

Дополнительная информация

IPW90R1K2C3 CoolMOS Power Transistor