IPW90R1K2C3FKSA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5.1 А, 900 В, 0.94 Ом, 10 В, 3 В

PartNumber: IPW90R1K2C3FKSA1
Ном. номер: 8097476648
Производитель: Infineon Technologies
IPW90R1K2C3FKSA1, Силовой МОП-транзистор ...
Доступно на заказ 3 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
160 × = 160

Описание

The IPW90R1K2C3 is a 900V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for quasi resonant flyback/forward topologies and PC silverbox applications.

• Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
• Extreme dV/dt rated
• High peak current capability
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Low specific ON-state resistance
• Field proven CoolMOS™ quality
• High efficiency and power density
• Outstanding performance
• High reliability
• Ease of use

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2480722

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
5.1А
Напряжение Истока-стока Vds
900В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.94Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
83Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-247
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet IPW90R1K2C3FKSA1