IR21531D

Фото 1/2 IR21531D
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
760 руб.
от 2 шт.640 руб.
от 5 шт.566 руб.
от 10 шт.527.50 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 руб.
Номенклатурный номер: 8001981661

Описание

Электроэлемент
MOSFET DRIVER, HALF BRIDGE, DIP-8, Driver Configuration:Half Bridge, Peak Output Current:-, Supply Voltage Min:10V, Supply Voltage Max:16.8V, Driver Case Style:DIP, No. of Pins:8Pins, Input Delay:-, Output Delay:660ns, Packaging:Each, RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand Infineon Technologies
Configuration Self-Oscillating
Factory Pack Quantity 3000
Fall Time 100 ns
Features Synchronous
Height 5.33 mm(Max)
Length 10.92 mm(Max)
Logic Type CMOS
Manufacturer Infineon
Maximum Operating Temperature +125 C
Minimum Operating Temperature -40 C
Mounting Style Through Hole
Number of Drivers 2 Driver
Number of Outputs 2
Operating Supply Current 5 mA
Output Voltage 10 V to 20 V
Package / Case DIP-8
Packaging Tube
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Product Half-Bridge Drivers
Product Category Gate Drivers
Rise Time 150 ns
RoHS Details
Supply Voltage - Max 20 V
Supply Voltage - Min 10 V
Type High Side/Low Side
Unit Weight 0.080001 oz
Width 7.11 mm(Max)
Case DIP8
Kind of integrated circuit gate driver, high-/low-side
Kind of package tube
Mounting THT
Number of channels 2
Operating temperature -40…125°C
Power 1W
Topology MOSFET half-bridge
Turn-off time 40ns
Turn-on time 80ns
Type of integrated circuit driver
Voltage class 600V
Вес, г 1

Техническая документация

Документация
pdf, 334 КБ
Datasheet IR21531
pdf, 217 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем