IR21814SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 10В-20В, 2.3А, задержка 220нс, SOIC-14

PartNumber: IR21814SPBF
Ном. номер: 8002639522
Производитель: Infineon Technologies
IR21814SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны ...
Доступно на заказ 468 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
420 × = 420
от 10 шт. — 210 руб.
от 100 шт. — 166 руб.

Описание

The IR21814SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with an independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

• Floating channel designed for bootstrap operation
• Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
• Under-voltage lockout for both channels
• Matched propagation delay for both channels
• Logic and power ground ±5V offset
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity
• Output source/sink current capability 1.4/1.8A

Полупроводники - Микросхемы\Драйверы и Интерфейсы\MOSFET Драйверы
Код: 8639027

Технические параметры

Конфигурация Привода
Высокая Сторона и Низкая Сторона
Пиковый Выходной Ток
2.3А
Минимальное Напряжение Питания
10В
Максимальное Напряжение Питания
20В
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Количество Выводов
14вывод(-ов)
Задержка по Входу
180нс
Задержка Выхода
220нс
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
125°C
Упаковка
Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 3 - 168 часов

Дополнительная информация

Datasheet IR21814SPBF