IR2181SPBF, Двойной драйвер МОП-транзистора, высокой стороны и низкой стороны, 10В-20В, 2.3А, 220нс, SOIC-8

PartNumber: IR2181SPBF
Ном. номер: 8076908281
Производитель: Infineon Technologies
IR2181SPBF, Двойной драйвер МОП-транзистора ...
Доступно на заказ 477 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
240 × = 240
от 10 шт. — 156 руб.
от 100 шт. — 114 руб.

Описание

The IR2181SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technology enables ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output and down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive a N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

• Tolerant to negative transient voltage DV/DT Immune
• Under-voltage lockout for both channels
• Matched propagation delay for both channels
• Lower DI/DT gate driver for better noise immunity
• Logic and power ground ±5V offset

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы и Контроллеры
Код: 1023244

Технические параметры

Конфигурация Привода
Высокая Сторона и Низкая Сторона
Пиковый Выходной Ток
2.3А
Минимальное Напряжение Питания
10В
Максимальное Напряжение Питания
20В
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Задержка по Входу
180нс
Задержка Выхода
220нс
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
125°C
Упаковка
Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 2 - 1 год

Дополнительная информация

Datasheet IR2181SPBF