IR2301SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны и низкой стороны, питание 5В-20В, 350мА, задержка 200нс, SOIC-8

PartNumber: IR2301SPBF
Ном. номер: 8013268179
Производитель: Infineon Technologies
IR2301SPBF, Двойной драйвер, высокой стороны ...
Доступно на заказ 319 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
330 × = 330
от 10 шт. — 168 руб.
от 100 шт. — 133 руб.

Описание

The IR2301SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low Side Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.

• Floating channel designed for bootstrap operation
• Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
• Under-voltage lockout for both channels
• Logic and power ground ±5V offset
• Lower di/dt gate driver for better noise immunity
• Outputs in phase with inputs

Полупроводники - Микросхемы\Микросхемы Управления Питанием\Драйверы и Контроллеры
Код: 8639060

Технические параметры

Конфигурация Привода
Высокая Сторона и Низкая Сторона
Пиковый Выходной Ток
350мА
Минимальное Напряжение Питания
Максимальное Напряжение Питания
20В
Стиль Корпуса Привода
SOIC
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Задержка по Входу
220нс
Задержка Выхода
200нс
Минимальная Рабочая Температура
-40°C
Максимальная Рабочая Температура
150°C
Упаковка
Поштучно
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 2 - 1 год

Дополнительная информация

Datasheet IR2301SPBF