IRF1010EZSPBF, МОП-транзистор, N Канал, 84 А, 60 В, 8.5 мОм, 10 В, 4 В

PartNumber: IRF1010EZSPBF
Ном. номер: 8100333893
Производитель: Infineon Technologies
IRF1010EZSPBF, МОП-транзистор, N Канал, 84 А ...
Доступно на заказ 2710 шт. Отгрузка со склада в Москве 7 недель.
110 × = 110
от 25 шт. — 87 руб.
от 100 шт. — 78 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRF1010EZSPBF is a 60V single N-channel HEXFET® Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. It features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for wide variety of applications.

• Advanced process technology
• Ultra low on-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
• 175°C Operating temperature

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 8657335

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
84А
Напряжение Истока-стока Vds
60В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0085Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
140Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IRF1010EZSPBF