Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF2807SPBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [D2PAK]

Артикул: IRF2807SPBF
Ном. номер: 2430954697
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF2807SPBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [D2PAK]
Фото 2/3 IRF2807SPBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [D2PAK]Фото 3/3 IRF2807SPBF, Транзистор, N-канал 75В 82А [D2PAK]
Есть в наличии более 500 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
60 × = 60
от 50 шт. — 54 руб.
от 500 шт. — 53 руб.
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF2807SPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die size up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
13
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус

Техническая документация

IRF2807SPBF Datasheet
pdf, 272 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF2807SPBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов