Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF2807ZSPBF, МОП-транзистор, N Канал, 89 А, 75 В, 9.4 мОм, 10 В, 4 В

PartNumber: IRF2807ZSPBF
Ном. номер: 8007258759
Производитель: Infineon Technologies
Фото 1/2 IRF2807ZSPBF, МОП-транзистор, N Канал, 89 А, 75 В, 9.4 мОм, 10 В, 4 В
Фото 2/2 IRF2807ZSPBF, МОП-транзистор, N Канал, 89 А, 75 В, 9.4 мОм, 10 В, 4 В
Доступно на заказ 369 шт. Отгрузка со склада в Москве 2-3 недели.
140 × = 140
от 25 шт. — 121 руб.
от 100 шт. — 107 руб.
Есть аналоги

Описание

The IRF2807ZSPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating. These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. It is also suitable for AC-to-DC, consumer full-bridge, full-bridge and push-pull applications.

• Advanced process technology
• Ultra-low ON-resistance
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
175°C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Рассеиваемая Мощность
170Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
75В
Непрерывный Ток Стока
89А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0094Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs

Техническая документация

IRF2807ZPBF Datasheet
pdf, 399 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF2807ZSPBF