IRF3205LPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 55В 110А [TO-262]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
250 руб.
от 50 шт. —
224 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 250 руб.
Описание
MOSFET, N-CH, 55V, 110A, TO-262-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:110A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.008ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:TO-262; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Product Range:HEXFET Series; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 110 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.008 Ом/62А, 10В | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 | |
Крутизна характеристики, S | 44 | |
Корпус | TO-262 | |
Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF3205
pdf, 280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают