IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал, 110 А, 55 В, 0.008 Ом, 10 В, 4 В

PartNumber: IRF3205STRLPBF
Ном. номер: 8068782049
Производитель: Infineon Technologies
IRF3205STRLPBF, МОП-транзистор, N Канал ...
Доступно на заказ 788 шт. Отгрузка со склада в Москве 6 недель.
160 × = 160
от 25 шт. — 89 руб.
от 100 шт. — 78 руб.

Описание

The IRF3205STRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы
Код: 2467988

Технические параметры

Полярность Транзистора
N Канал
Непрерывный Ток Стока
110А
Напряжение Истока-стока Vds
55В
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.008Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность
200Вт
Стиль Корпуса Транзистора
TO-263
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура
175°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный

Дополнительная информация

Datasheet IRF3205STRLPBF