Добавить к сравнению Сравнить ()

IRF3315PBF, Транзистор, N-канал 150В 27А [TO-220AB]

Артикул: IRF3315PBF
Ном. номер: 33092
Производитель: International Rectifier
Фото 1/3 IRF3315PBF, Транзистор, N-канал 150В 27А [TO-220AB]
Фото 2/3 IRF3315PBF, Транзистор, N-канал 150В 27А [TO-220AB]Фото 3/3 IRF3315PBF, Транзистор, N-канал 150В 27А [TO-220AB]
Есть в наличии более 80 шт. Отгрузка со склада в Москве 1-2 рабочих дня.
60 × = 60
от 15 шт. — 47 руб.
от 150 шт. — по запросу
Цена и наличие в магазинах

Описание

The IRF3315PBF is a HEXFET® fifth generation single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation. The package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50W.

• Advanced process technology
• Dynamic dV/dt rating
• Fully avalanche rating

Технические параметры

Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики, S
Корпус
Особенности
аудиоприложения
Пороговое напряжение на затворе
2…4

Техническая документация

IRF3315 Datasheet
pdf, 130 КБ

Дополнительная информация

Datasheet IRF3315PBF
IRF3315PBF Data Sheet IRF3315PBF
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов