IRF3703PBF, Транзистор, N-канал 30В 210А [TO-220AB]
![Фото 1/4 IRF3703PBF, Транзистор, N-канал 30В 210А [TO-220AB]](https://static.chipdip.ru/lib/214/DOC001214204.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
от 10 шт. —
322 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
МОП-транзистор 30V 1 N-CH HEXFET 2.8mOhms 209nC
Технические параметры
| Структура | N-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 210 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0028 Ом/76А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 230 | |
| Крутизна характеристики, S | 150 | |
| Корпус | TO-220AB | |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 | |
| Вес, г | 2.5 |
Техническая документация
Datasheet IRF3703PBF
pdf, 191 КБ
Datasheet IRF3703PBF
pdf, 180 КБ
Datasheet IRF3703PBF
pdf, 182 КБ
Datasheet IRF3703
pdf, 97 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
С этим товаром покупают
![IRG4PH40UPBF, IGBT 1200В 20А 75кГц [ТО-247]](https://static.chipdip.ru/lib/191/DOC000191952.jpg)
